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未来科学技術共同研究センター先進半導体センサ・デバイス開発プロジェクトは、
国立交通大学より白田理一郎教授を招いて
「不揮発性メモリの信頼性について」と題して講演会を行います。
【講演概要】
不揮発性メモリはMOSトランジスタと同様の構造であるがゲートが2層になっており、
下部ゲート(浮遊ゲート）は絶縁膜で覆われていて、浮遊ゲートに電荷を蓄積する。
浮遊ゲートの電位は上部ゲート(制御ゲート）電位と蓄積電荷で決まる。
データは蓄積電荷の正と負で決まり、Si基板と浮遊ゲート間のSiO2膜を経由して、
電子を移動させる事によりデータの入れ替えを行う。よって書き込み消去を繰り返す事により、
ゲート酸化膜の信頼性は劣化し、書き換え回数に制限が有る。
従来より不揮発性メモリの信頼性に関して多くの研究がなされてきたが未だに不明な点が多い。
例えばデータ書き換えを繰り返した後はデータ保持特性が劣化するが、
そのメカニズムは未だに不明な点が多く、
単なる酸化膜にtrapされた電子のdetrapでは説明がつかない。
今講義では、大容量不揮発性メモリ（NAND Flash)の技術トレンドを初めに紹介し、
次にその信頼性の問題点を述べ、さらにいくつかの信頼性の問題点について研究結果を詳しく述べる。
日時：11月28日（月曜日） 13:30～17:00
会場：未来情報産業研究館５F大会議室
会場地図
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その他申込方法等：
参加費は無料でどなたでもご参加いただけます。事前登録は不要のため直接会場にお越しください。
問い合わせ先：
未来科学技術共同研究センター 教授 寺本 章伸
電話 022-795-3977
メール akinobu.teramoto.a2*tohoku.ac.jp（*を＠に換えて送信してください）